Основное направление деятельности Исследование кинетики гибели фотогенерированных носителей тока в в порошкообразных и тонкопленочных полупроводниковых материалах. Определение времен жизни фотогенерированных носителей тока в полупроводниковых материалах. Для анализа закономерностей спадов микроволнового фотоотклика разработано программное обеспечение, имеется возможность сравнения экспериментальных зависимостей с расчетом моделей, включающих определенный набор элементарных процессов. Расчеты проводятся как в предположении гомогенного распределения реагентов в реакционном объеме, так и в условиях неоднородного поглощения света, с учетом особенностей распределения свойств поверхности и объема образца. Для сравнительного анализ изменения добротности резонатора и резонансной частоты, позволяющего получить данные не только о свободных носителях тока, но и локализованных, разработано программное обеспечение. Контроль времени жизни – прямой способ получать данные о количестве примесей акцептов зарядов в образцах, что принципиально важно для создания солнечных батарей с высоким коэффициентом трансформации солнечной энергии. Параметры установки: Постоянная времени (разрешение установки) частотного диапазона 50 нс. Источники света: 1. Азотный лазер ЛГИ-505, длина волны 337 нм с длительностью импульса 10 нс. 2. Эксимерный лазер Lambda Physik LPX-100, длина волны 308 нм с длительностью импульса 10 нс. 3. Лазер на красителях FL 3002 с накачкой эксимерным лазером Lambda Physik LPX-100, длины волн 400-1000 нм, длительность импульса - 20 нс. Контакты По вопросам календарной загрузке УНУ, текущем плане работ, а также о порядке расчета стоимости нестандартных услуг обращаться: Руководитель УНУ: к.ф.-м.н. Рабенок Евгения Витальевна Тел./факс: (49652)21842 e-mail: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
