Основное направление деятельности Исследование низкотемпературной кинетики гибели фотогенерированных носителей тока в полупроводниковых материалах. Определение времен жизни фотогенерированных носителей тока в полупроводниковых материалах. Получение сведений об энергии активации процессов при исследовании низкотемпературной микроволновой фотопроводимости. Для анализа закономерностей спадов микроволнового фотоотклика разработано программное обеспечение, имеется возможность сравнения экспериментальных зависимостей с расчетом моделей, включающих определенный набор элементарных процессов. Расчеты проводятся как в предположении гомогенного распределения реагентов в реакционном объеме, так и в условиях неоднородного поглощения света, с учетом особенностей распределения свойств поверхности и объема образца. Параметры установки: Постоянная времени (разрешение установки) частотного диапазона 10 нс. Измерения проводятся в интервале температур 150-300 К. Источником света: Азотный лазер ЛГИ-505, длина волны 337 нм с длительностью импульса 10 нс. Контакты: По вопросам календарной загрузке УНУ, текущем плане работ, а также о порядке расчета стоимости нестандартных услуг обращаться: Руководитель УНУ: к.ф.-м.н. Рабенок Евгения Витальевна Тел./факс: (49652)21842 e-mail: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
